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自研智造 “嵌”入未來丨時(shí)創(chuàng)意受邀出席TSS2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇

2024-06-21      來源:

近日,TSS2024集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇于深圳福田JW萬豪酒店隆重舉行。時(shí)創(chuàng)意與300余名半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高層嘉賓、資深分析師齊聚一堂,圍繞AI市場(chǎng)、閃存技術(shù)應(yīng)用趨勢(shì)及供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)等熱點(diǎn)話題展開全方位探討與交流,共謀產(chǎn)業(yè)發(fā)展新格局。


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▲ TSS2024峰會(huì)現(xiàn)場(chǎng)


聚焦AI前沿

以持續(xù)創(chuàng)新加速產(chǎn)品迭代


隨著ChatGPT等AI大模型的持續(xù)火熱,高性能、大容量的存儲(chǔ)芯片需求強(qiáng)勁增長,促進(jìn)先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝技術(shù)的大踏步發(fā)展,SSD產(chǎn)品系列備受關(guān)注。此外,在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)之下,全球新能源汽車作為半導(dǎo)體應(yīng)用的另一重要驅(qū)動(dòng)力,正“風(fēng)馳電掣”般前行,為車載存儲(chǔ)、第三代半導(dǎo)體的蓬勃發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。


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             ▲ AI與EV電動(dòng)車引領(lǐng)下終端需求強(qiáng)勁


基于此,時(shí)創(chuàng)意緊隨升級(jí)變化的市場(chǎng)需求,不斷深化從存儲(chǔ)芯片研發(fā)、封裝測(cè)試、模組制造到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全業(yè)務(wù)流程布局,發(fā)揮自身全產(chǎn)品線的軟固件自主開發(fā)和測(cè)試驗(yàn)證、從基板到高階多層硬板的高速硬件設(shè)計(jì)和建模仿真、完全自研的先進(jìn)封裝工藝和自主搭建的制造產(chǎn)線、高速自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備的全Pattern開發(fā)能力等核心技術(shù)優(yōu)勢(shì),以更優(yōu)性能、更大容量及更高可靠的存儲(chǔ)產(chǎn)品及技術(shù)解決方案,為AI手機(jī)、AI PC、AI服務(wù)器等端存儲(chǔ)應(yīng)用的發(fā)展提供強(qiáng)大支撐。

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             ▲ 時(shí)創(chuàng)意DRAM內(nèi)存模組


賦能主流終端

打造多元場(chǎng)景化存儲(chǔ)應(yīng)用丨


據(jù)TSS2024公開報(bào)告顯示,手機(jī)、服務(wù)器、PC存儲(chǔ)三大終端應(yīng)用市場(chǎng)進(jìn)入企穩(wěn)回升階段,并將保持持續(xù)的復(fù)蘇態(tài)勢(shì)。


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             ▲ 三大存儲(chǔ)終端需求趨勢(shì)分析


聚焦核心三大應(yīng)用場(chǎng)景,時(shí)創(chuàng)意以技術(shù)創(chuàng)新賦能智能端應(yīng)用升級(jí)迭代。嵌入式存儲(chǔ)方面,時(shí)創(chuàng)意推出LPDDR5、512GB UFS3.1高性能嵌入式閃存產(chǎn)品,并啟動(dòng) UFS4.0 的研發(fā);DARM內(nèi)存模組方面,全新高頻內(nèi)存條DDR5-8000頻率高達(dá)8000MHz,雙條容量32GB(16GBx2),支持 Intel XMP3.0 與AMD EXPO技術(shù);SSD固態(tài)硬盤方面,S7000 Pro、S7000、 C7000 等多款SSD主力產(chǎn)品,集卓越性能與海量存儲(chǔ)于一體,兼?zhèn)浞€(wěn)定兼容、品質(zhì)可靠、出色溫控等特點(diǎn)。


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             ▲ 時(shí)創(chuàng)意嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品


深化關(guān)鍵技術(shù)

丨拓展QLC產(chǎn)品化布局


近年來,QLC NAND產(chǎn)品在AI存儲(chǔ)市場(chǎng)的帶動(dòng)下,其在存儲(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域的重要性正逐步突顯。據(jù)峰會(huì)報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,QLC NAND 今年Q2至Q4的市場(chǎng)占比將分別達(dá)到20.6%、20.1%、18.8%。


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▲ QLC閃存芯片市場(chǎng)占比趨勢(shì)


QLC NAND具備更快讀速、更高單位面積存儲(chǔ)密度以及更低功耗的天然優(yōu)勢(shì)。早在2018年,時(shí)創(chuàng)意便已啟動(dòng)SSD模組的研發(fā),次年成功實(shí)現(xiàn)QLC技術(shù)的初步應(yīng)用,并在嵌入式領(lǐng)域也規(guī)劃布局QLC技術(shù),未來,時(shí)創(chuàng)意將在SSD產(chǎn)品線上深化QLC技術(shù)應(yīng)用,進(jìn)一步拓展在其他存儲(chǔ)品類上的創(chuàng)新實(shí)踐。


此外,時(shí)創(chuàng)意通過運(yùn)用成熟的16層疊Die、超薄Die、第二代Flip Chip等先進(jìn)封裝工藝,加以晶圓級(jí)、顆粒級(jí)與模組級(jí)的嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試,使存儲(chǔ)芯片在存儲(chǔ)容量、使用壽命及可靠性等方面的表現(xiàn)也尤為出色。


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             ▲ 時(shí)創(chuàng)意SSD固態(tài)硬盤


未來,時(shí)創(chuàng)意將持續(xù)發(fā)揮自研智造、資源整合及質(zhì)量管理等突出優(yōu)勢(shì),通過精準(zhǔn)市場(chǎng)洞察、前瞻技術(shù)探索及可持續(xù)的合作模式,積極與全產(chǎn)業(yè)鏈上下游穩(wěn)健協(xié)作,同時(shí)依托服務(wù)行業(yè)一線終端客戶和技術(shù)應(yīng)用落地經(jīng)驗(yàn),不斷提升自身產(chǎn)品力和品牌影響力,為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展貢獻(xiàn)力量。