4月24至26日,為期三天的JAPAN IT WEEK2024 SPRING在東京Big Sight隆重舉行。時創(chuàng)意攜SSD固態(tài)硬盤、DRAM內(nèi)存模組、嵌入式存儲芯片及移動存儲等全系列產(chǎn)品及技術解決方案精彩亮相,與橫跨IT、DX和數(shù)字化信息技術領域近900家全球知名企業(yè)匯聚一堂,并以突出的產(chǎn)品力、先進智造工藝及高品質(zhì)服務等硬核實力贏得眾多觀展嘉賓的高度贊譽。
▲展會現(xiàn)場
▲時創(chuàng)意團隊向客戶推介產(chǎn)品
01 SSD固態(tài)硬盤
伴隨5G、云計算、AI及大數(shù)據(jù)等前沿科技的蓬勃發(fā)展,用戶對于存儲系統(tǒng)的性能閾值與穩(wěn)定性需求急速攀升。高速讀寫、大容量、穩(wěn)定可靠的SSD系列產(chǎn)品,逐步成為個人與企業(yè)在多元應用場景下存儲的理想解決方案。
▲時創(chuàng)意嵌入式存儲產(chǎn)品系列
時創(chuàng)意S7000 Pro、S7000、 C7000 、S500等SSD固態(tài)硬盤為此次參展力推的重點產(chǎn)品,以超高速傳輸、海量存儲空間、耐用性及低功耗等特性,在提升系統(tǒng)響應速度、優(yōu)化效能以及增強數(shù)據(jù)安全性等方面具備突出優(yōu)勢。以時創(chuàng)意S7000 Pro為例,其順序讀寫速度分別高達7100MB/s、6400MB/s,擁有4TB大容量存儲空間,DRAM-base設計可大幅提升4K隨機讀寫性能,支持PCIe L1.2低功耗模式,另配備導流式散熱馬甲使散熱效果更佳。
02 DRAM內(nèi)存模組
基于敏銳的市場洞察和深厚的技術底蘊,時創(chuàng)意持續(xù)深耕DRAM內(nèi)存模組領域,構建起完備成熟的制造工藝體系,完成從DDR4到DDR5的迭代升級,并順利推進新產(chǎn)品的規(guī)?;慨a(chǎn),滿足高性能計算時代對高帶寬、低延遲的內(nèi)存需求。
DDR5模組內(nèi)存,傳輸速率高達6400Mbps,容量高達64GB,內(nèi)置PMIC電源管理芯片與On-die ECC功能令設備運行更穩(wěn)定,且兼容Intel與AMD平臺。其中,DDR5 UDIMM支持定制的Intel XMP 3.0 與 AMD EXPO一鍵超頻技術,可輕松提升游戲幀率、縮短應用程序加載時間,將高端游戲筆記本、高性能一體機等客戶端體驗推向新高度。
▲時創(chuàng)意DDR5 UDIMM
03 嵌入式存儲
在嵌入式存儲領域,時創(chuàng)意不斷推出UFS3.1、LPDDR5、ePOP等系列產(chǎn)品,利用自身在核心固件算法開發(fā)、存儲器設計與仿真、先進封裝工藝、測試開發(fā)等方面的技術積淀,持續(xù)為廣大客戶提供深度定制化的存儲器解決方案,賦能手機、平板、智能穿戴等智能終端設備實現(xiàn)小型化與集成化。
通過在第二代Flip Chip封裝技術領域取得關鍵性突破,結合自研低功耗固件、超薄 Die 封裝設計工藝與全面的自動化測試系統(tǒng),公司實現(xiàn)了512GB UFS3.1的全面量產(chǎn)。此款芯片順序讀寫速度分別高達2100MB/s、1700MB/s,滿足高端智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端設備市場的主流需求。
▲時創(chuàng)意UFS3.1存儲產(chǎn)品
04 移動數(shù)碼存儲
活動現(xiàn)場,時創(chuàng)意展出了Micro SD、UDP 3.1、MUDP 3.1、SD 7.0等移動存儲產(chǎn)品。時創(chuàng)意寬溫Micro SD專為寬溫設備存儲設計,順序讀寫速度分別高達170MB/s、150MB/s,提供32GB~512GB容量選擇;-25℃~85℃寬溫工作,無懼頻繁斷電、電壓不穩(wěn)定、冷熱溫差大等諸多惡劣使用環(huán)境的挑戰(zhàn),兼?zhèn)浞€(wěn)定可靠、兼容性、高耐久度等優(yōu)勢,為視頻監(jiān)控、行車記錄儀、教育電子、游戲掌機等終端應用保駕護航。
▲時創(chuàng)意團隊與客戶洽談
▲現(xiàn)場合影留念
作為存儲技術創(chuàng)新的踐行者,時創(chuàng)意精準把握前沿的市場需求,依托豐富的一線客戶服務項目經(jīng)驗和技術支持能力,強化創(chuàng)新研發(fā)與多元應用融合,助力終端價值最大化。未來,公司將不斷深化存儲產(chǎn)業(yè)鏈布局,持續(xù)發(fā)力行業(yè)級、企業(yè)級和工業(yè)級市場,為構建高效、智能、安全的存儲生態(tài)系統(tǒng)提供堅實支撐。